<font color="#FF8000">作者:XCZ,来源:硬件助手微信公众号</font>
本篇主要针对CMOS电平,详细介绍一下CMOS的闩锁效应。
<strong>1、Latch up</strong>
闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构(双极晶体管)被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻抗大电流通路,导致电路无法正常工作,甚至烧毁电路。
<li>Latch up是指CMOS晶片中,在电源VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路,它的存在会使VDD和GND之间产生大电流;</li>
<li>随着IC制造工艺的发展,封装密度和集成度越来越高,产生Latch up的可能性会越来越大;</li>
<li>Latch up产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的破坏,Latch up的防范是IC Layout的最重要措施之一;</li>
<li>Latch up最易产生在易受外部干扰的I/O电路处,也偶尔发生在内部电路。</li>