CMOS

量子技术被视为未来的关键技术之一。通过量子技术，可以开发出远超过传统系统性能的高效技术。通过控制单个量子，许多颠覆性的应用将成为可能

CMOS图像传感器的FPGA逻辑设计解析

由 yangyf000 提交于周三, 21 二月 2024 - 09:09

本文将探讨关于的CMOS图像传感器的FPGA逻辑设计

由 judy 提交于周四, 6 五月 2021 - 09:45

CMOS与非门，只要有一个输入端为低电平，与运算后均为低电平，输出为高电平，影响了输出结果，若接地或悬空会使输出始终为 1。CMOS与门、与非门：多余端通过限流电阻（500Ω）接电源；CMOS或门、或非门：多余端通过限流电阻（500Ω）接地；

<font color="#FF8000">作者：XCZ，来源：硬件助手微信公众号</font>

本篇主要针对CMOS电平，详细介绍一下CMOS的闩锁效应。

<strong>1、Latch up</strong>

闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构（双极晶体管）被触发导通，在电源和地之间存在一个低阻抗大电流通路，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路。

<li>Latch up是指CMOS晶片中，在电源VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路，它的存在会使VDD和GND之间产生大电流；</li>

<li>随着IC制造工艺的发展，封装密度和集成度越来越高，产生Latch up的可能性会越来越大；</li>

<li>Latch up产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的破坏，Latch up的防范是IC Layout的最重要措施之一；</li>

<li>Latch up最易产生在易受外部干扰的I/O电路处，也偶尔发生在内部电路。</li>