概览
第二代 AMD Versal Premium MoP（ Memory on Package，封装上内存）是业界首款将高速 LPDDR5X DRAM 直接集成于单一封装中的 FPGA/自适应 SoC。了解封装上内存如何帮助工程师构建从云端到边缘的紧凑型高带宽系统，同时降低设计复杂性、加快产品上市进程，并实现长期工业级可靠性。
1.在更小空间内提供更高内存带宽
在 55 x 57.5 mm 的单一封装中集成至高 32 GB 的 LPDDR5X
共享基板上至高 32 GB 的 LPDDR5X DRAM 可提供最高 288 GB/s 的带宽1，适用于 AI 推理、视频处理和网络安全。与分立式板载 LPDDR5X 相比3，可节省 60% 板级面积2，并实现最高 5% 的带宽提升。
相比分立式 LPDDR5X，节省 60% 板级面积。
相比板载 LPDDR5X，实现最高 5% 带宽提升。
2.为空间受限的部署解锁全新尺寸规格
在严苛的空间和散热限制内实现高带宽计算
封装上内存支持以往采用外部内存时难以实现的 PCIe® 与 EDSFF 部署，从而满足基于卡的尺寸和散热约束，同时节省机架空间并有助于降低每 Gb/s 功耗。
可满足 3U 或 6U 紧凑型系统、EDSFF 以及电信级板卡的空间限制，这是分立式内存方案在相同占用空间内难以实现的。
3.加速产品上市进程，且无需妥协
无需进行信号和电源完整性（ SI/PI ）仿真，实现设计前移
经过预验证的 LPDDR5X 封装及内存可帮助消除通常需要数周甚至数月的 SI/PI 分析，而这些分析正是导致 PCB 重设计的主要原因之一。MoP 器件沿用相同的 AMD Vivado 设计套件、Vitis 软件平台和第二代 Versal Premium IP 生态系统，无需重新设计即可使用。
经过预验证的封装内接口解放了此前专门用于 LPDDR5X 迹线布线的 PCB 层，降低了电路板堆叠的复杂性。
4.从链路层到内存全面保护数据安全
在无需额外安全 ASIC 的前提下，加强传输中数据和静态数据的安全保护
MoP 器件继承了第二代 Versal Premium 的所有硬 IP 安全功能：PCIe 完整性和数据加密（ IDE ）有助于保护传输中的数据；内联 DDR 加密有助于保护静态数据而不消耗逻辑资源；400G 高速加密（ HSC ）引擎则有助于大规模加速线速 MACsec 和 AES-256-GCM 处理。
封装上内存可减少物理攻击面，因为内存信号无法通过板级接口直接访问。
5.面向长生命周期和可靠性而打造
突破高带宽内存（ HBM ）技术局限
LPDDR5X 提供 15 年的生命周期4，不受 HBM 数据中心更新周期影响。支持完整的工业级温度范围（ –40°C 至 110°C ），适用于 HBM 无法运行的户外基础设施和工厂环境。
LPDDR5X 提供 15 年生命周期。工业级温度：–40°C 至 110°C（ I 级）。基于 HBM 的解决方案难以满足这一工作温度范围。
集成内存，简化设计。
业界首款采用封装上内存的自适应 SoC
集成至高 32 GB 的 LPDDR5X，节省 60% 板级面积，实现 15 年的产品生命周期并具备工业级可靠性。
进一步了解第二代 AMD Versal Premium MoP 如何帮助您构建更智能、更紧凑的系统。
1.在每引脚 9.0 Gb/s 情况下，预计可达 288 GB/s。备选方案：每引脚 8.533 Gb/s。
2.基于 AMD 于 2026 年 4 月进行的内部测量，对比第二代 Versal Premium 系列 MoP 2VP3622 自适应 SoC 的板级面积与采用外部内存的第二代 Versal Premium 系列单片自适应 SoC 的板级面积。(VER-111)
3.基于 AMD 于 2026 年 7 月进行的内部分析，比较第二代 Versal Premium MoP 2VP3622 自适应 SoC 与采用外部内存的第二代 Versal Premium 系列单片自适应 SoC 的内存带宽规格。(VER-113)
