SED简介
FPGA器件在使用中可能会受到质子、中子、α粒子等高能粒子的影响。SRAM 存储单元作为FPGA逻辑配置数据的核心载体，一旦遭遇高能粒子的干扰，有一定的概率发生软错误——这不会永久性损坏器件，但会改变存储单元编程逻辑，随着使用的时间越长，已经发生的错误会不断累积，可能导致设备运行异常甚至任务失败。为解决这一痛点，智多晶在 SA5T-100、SA5T-200 和 SA5T-366 器件中集成了硬核级解决方案——SED（Soft Error Detect）IP核，通过ECC+CRC双校验技术，实现软错误的精准检测、自动纠正与场景化测试，为 FPGA 在极端环境下的稳定运行保驾护航。
SED IP特性
支持校验模式选择
支持1bit或多比特错误检测
支持测试1bit或2bit错误注入
支持自动纠正错误功能
SED IP设计
内部设计核心融合ECC与CRC双校验技术：ECC校验易于硬件实现，可逐帧检错并精准定位1bit软错误位置，实现自动纠正；CRC校验具备更强的错误检测鲁棒性，能有效识别多bit软错误，两者结合为FPGA内部SRAM数据提供可靠监测。
SED IP使用
在HqFpga软件打开IP管理界面并搜索SED，即可配置IP相关参数，如图 1所示。用户可在IP配置界面选择一次校验模式或持续校验模式，在持续校验模式下，选择是否打开自动纠正错误功能和注入错误功能，使用起来十分便捷。在使用过程中，只需抓取sed_err输出信号状态，即可检测是否发生错误。
图 1 SED IP配置界面
主要应用场景
医疗设备领域，器件运行在放射性环境
通信设施领域，复杂电磁环境或辐射干扰环境
获取技术文档与DEMO
技术文档获取：SED IP已发布，用户可以在HqFpga软件“IP管理”中打开SED IP界面查看用户指南，或访问智多晶官网（www.isilicontech.com）下载SED IP用户指南。
设计参考案例获取：访问智多晶官网（www.isilicontech.com ）下载SED DEMO用户指南。
文章来源：智多晶