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MRDIMM（多列缓冲 DIMM）可能成为缓冲 DIMM 中的标准 203x。此外，AMD（在新标签页中打开）已在 MemCon 2023 上承诺帮助推动 JEDEC 的 MRDIMM 开放标准，该标准将显着提高标准 DDR5 DIMM 的带宽。
随着核心数量的不断增加，为处理器提供必要的内存带宽一直是一场艰苦的斗争。这是 AMD 和英特尔在其主流处理器（例如Ryzen 7000和Raptor Lake）上转向DDR5内存的原因之一。因此，您可以想象数据中心领域的挑战，AMD 的EPYC Genoa和英特尔的Sapphire Rapids Xeon芯片分别推高至 96 核和 60 核。
当您将这些多核 EPYC 和 Xeon 怪物放入 2P 或有时是 4P 配置时，它会变得更加复杂。结果是一块巨大的主板，内存插槽数量惊人。不幸的是，主板只能变得这么大，处理器不断推出更多内核。存在现有的解决方案，例如独特的接口，如 Compute Express Link (CXL) 或高带宽内存 (HBM) 格式。MRDIMM 旨在成为供应商的另一种选择，以减轻与 DRAM 速度缩放相关的困难。
MRDIMM 的目标是将现有 DDR5 DIMM 的带宽加倍。概念很简单：组合两个 DDR5 DIMM，为主机提供两倍的数据速率。此外，该设计允许同时访问两个级别。例如，您以 4,400 MT/s 的速度组合两个 DDR5 DIMM，但输出结果为 8,800 MT/s。根据介绍，一个特殊的数据缓冲器或多路复用器组合来自每个列的传输，有效地将两个 DDR（双倍数据速率）转换为单个 QDR（四倍数据速率）。
第一代 MRDIMM 将提供高达 8,800 MT/s 的数据传输速率。之后，JEDEC 预计 MRDIMM 将逐渐提高，达到 12,800 MT/s，随后达到 17,600 MT/s。然而，我们可能要到 2030 年之后才能看到第三代 MRDIMM，因此这是一个漫长的项目。
英特尔与SK hynix和 Renesas合作，基于与 MRDIMM 类似的概念开发了多路复用器组合列 (MCR) DIMM。根据退休工程师chiakokhua 的说法, AMD 正在准备一个名为 HBDIMM 的类似提议。存在一些差异；但是，没有公开资料可以用来比较 MCR DIMM 和 HBDIMM。
这家韩国 DRAM 制造商预计首批 MCR DIMM 的传输速率将超过 8,000 MT/s，因此它们的性能可与第一代 MRDIMM 产品相媲美。Intel 最近演示了一款带有新 MCR DIMM 的Granite Rapids Xeon 芯片。双插槽系统提供相当于 1.5 TB/s 的内存带宽。有 12 个主频为 DDR5-8800 的 MCR DIMM。
MRDIMM 的路线图很模糊，因为它没有显示我们何时可以期待第一代 MRDIMM。然而，Granite Rapids 和与之竞争的 AMD EPYC Turin (Zen 5) 处理器将于 2024 年到货。因此，预计 MCR DIMM 届时可用是合理的，因为 Granite Rapids 可以使用它们。尽管这还没有得到任何官方证实，但考虑到 AMD 最近的承诺，都灵可以利用 MRDIMM 是有道理的。因此，MRDIMM 也有可能在 2024 年问世。
