Xilinx FPGA平台DDR3设计保姆式教程(4)——DDR3读写测试

本文转载自:FPGA大叔的博客

实验任务:

将输入数据(data_in)存入ddr,然后读出,验证输入输出数据是否相等。

一、前言
接上一篇(3)MIG的使用教程

MIG配置如下:

1. 系统时钟sys_clk = 200Mhz
2. 系统复位sys_rst 低有效
3. 模式:4:1
4. 位宽: 16bit

注:由于选择的DDR3的突然长度为8,所以mig的数据位宽=16*8=128bit,对应到代码即app_wdf_data[127:0] , app_rd_data[127:0]。

二、系统方案
2.1方案设计
实验任务:

将数据(data_in),存入ddr,然后读出,验证输入输出数据是否相等。

实验目的:

初步掌握DDR读写设计。

为什么要先过FIFO再写入DDR?

因为DDR接口对用户而言并不是一直有效,只有等DDR“有效”时(app_rdy = 1 && app_wdf_rdy = 1),才能进行写入。

2.1.1输入接口时序图

输入数据为1-50共50个数据,以vld_in信号表征输入数据有效。

2.2状态机设计
2.2.1独热码

localparam S0_IDLE = 6'b000001; //初始化状态,DDR初始化成功就跳转S1
localparam S1_WAIT = 6'b000010; //等待状态,等FIFO缓存好数据就跳转S2
localparam S2_WRITE = 6'b000100; //写DDR状态,FIFO数据写完就跳转到S3
localparam S3_WR_DONE = 6'b001000; //写完成状态,给出读地址初始值就跳到S4
localparam S4_READ = 6'b010000; //读DDR状态,读到相应长度的数量就跳到S5
localparam S5_RD_DONE = 6'b100000; //读完成状态,跳回IDLE

2.2.2状态机流程图

2.2.3三段式状态机
always @(posedge sys_clk or posedge sys_rst)begin
if(sys_rst == 1'b1)
current_state <= S0_IDLE;
else
current_state <= next_state;
end
always @(*)begin
case(current_state)
S0_IDLE :
if(init_calib_complete == 1'b1)
next_state <= S1_WAIT;
else
next_state <= S0_IDLE;
S1_WAIT :
if(eof == 1'b1)
next_state <= S2_WRITE;
else
next_state <= S1_WAIT;
S2_WRITE :
if(ififo_empty == 1'b1)
next_state <= S3_WR_DONE;
else
next_state <= S2_WRITE;
S3_WR_DONE :
next_state <= S4_READ;
S4_READ :
if(cnt_read == cnt_length)
next_state <= S5_RD_DONE;
else
next_state <= S4_READ;
S5_RD_DONE :
next_state <= S0_IDLE;
default :
next_state <= S0_IDLE;
endcase
end
always @(posedge sys_clk or posedge sys_rst)begin
if(sys_rst == 1'b1)begin
cnt_length <= 32'b0;
cnt_read <= 32'b0;
cnt_write <= 32'b0;
app_addr <= 29'b0;
end
else case(current_state)
S0_IDLE : ;
S1_WAIT : ;
S2_WRITE:
if(app_rdy && app_wdf_rdy && app_en)begin
app_addr <= app_addr + 'd8; //BL =8;
cnt_write <= cnt_write + 'd1;
end
else begin
app_addr <= app_addr;
cnt_write <= cnt_write;
end
S3_WR_DONE :begin
cnt_length <= cnt_write;
app_addr <= 29'b0; //读初始地址
end
S4_READ :
if(app_rdy && app_en)begin
app_addr <= app_addr + 'd8;
cnt_read <= cnt_read + 'd1;
end
else begin
app_addr <= app_addr;
cnt_read <= cnt_read;
end
S5_RD_DONE :begin
cnt_length <= 32'b0;
cnt_read <= 32'b0;
cnt_write <= 32'b0;
end
default : ;
endcase
end

代码很简单,对应流程图跳转,此处不再啰嗦 。

2.3app接口设计

assign app_wdf_mask = 16'b0; //掩码置0,表示传输的全部为有效数据
assign ififo_rden = (current_state == S2_WRITE)&& app_rdy && app_wdf_rdy;
assign app_en = ((current_state == S2_WRITE)&&(ififo_vld)) || (current_state == S4_READ);
assign app_cmd = (current_state == S4_READ) ? 3'b001 : 3'b000;
assign app_wdf_wren = ififo_vld;
assign app_wdf_end = ififo_vld;
assign app_wdf_data = ififo_rdata;

三、仿真结果
因为DDR仿真,需要用到ddr3_model和其他文件,单开一篇来讲解。

这里只看仿真结果。

输入:

输出:

输入数据: 1-50;

输出数据: 1-50;

DDR读写测试成功!

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