作者：孤独的单刀，本文转载自：CSDN博客
注：本文由作者授权转发，如需转载请联系作者本人
在定制一个RAM IP核之前，强烈建议您先阅读：从底层结构开始学习FPGA----RAM IP核及关键参数介绍。在这篇文章中，已经对RAM IP核的各个关键因素做了详细的讲解。
1、RAM IP的定制
在新建一个工程后， 点击IP Catalog
点击后会出现 IP Catalog 页面，在 IP 核的搜索框中搜索 block
根据筛选，双击选择RAM & ROM 核“Block Memory Generator”
①、第一页
②、第二页
③、第三页
④、第四页
⑤、第五页
2、RAM IP的例化与仿真测试
2.1、例化一个RAM IP核
按上述步骤生成IP后，复制 IP核 自带的例化模板。
然后在我们的RTL代码中，例化生成一个4*16的SDP RAM。
该RTL不做其他功能，只例化RAM即可。
module test(
input clk, //输入时钟
input [3:0] data_in, //输入数据
input en_wr, //写使能信号
input en_rd, //读使能信号
input [3:0] addr_wr, //写地址
input [2:0] addr_rd, //读地址
input we_wr, //写使能
output [7:0] data_out //输出数据
);
//例化RAM IP核
ram_w4_d16 ram_w4_d16_inst (
//端口A--写端口
.clka (clk),
.ena (en_wr),
.wea (we_wr),
.addra (addr_wr),
.dina (data_in),
//端口B--读端口
.clkb (clk),
.enb (en_rd),
.addrb (addr_rd),
.doutb (data_out)
);
endmodule
2.2、仿真测试
写个testbench，对RAM IP测试一下。
测试行为：先往地址0-15写入数据0-15，然后从地址0-7读出数据（因为读数据位宽是写数据位宽的2倍，所以读数据一次会读出2个写地址的数据）。
`timescale 1ns / 1ns
module tb_test();
reg clk;
reg [3:0] data_in;
reg en_wr;
reg en_rd;
reg [3:0] addr_wr;
reg [2:0] addr_rd;
reg we_wr;
wire [7:0] data_out;
initial begin
clk = 0;
en_wr = 0;en_rd = 0;we_wr = 0;
data_in = 4'd0;
addr_wr = 4'd0;
addr_rd = 3'd0;
#110
en_wr = 1;we_wr = 1; //开始写入数据
repeat(15) begin //向地址0-15写入数据0-15
#10
data_in = data_in + 1;
addr_wr = addr_wr + 1;
end
#10
en_wr = 0; //停止写入数据
en_rd = 1;we_wr = 0; //开始读出数据
repeat(10) begin //从地址0-7读数据
#10 addr_rd = addr_rd + 1;
end
en_rd = 0; //停止读出数据
#20 $finish; //结束仿真
end
always #5 clk = ~clk; //生成时钟，周期10ns
//例化被测模块test
test test_inst(
.clk (clk ),
.data_in (data_in ),
.en_wr (en_wr ),
.en_rd (en_rd ),
.addr_wr (addr_wr ),
.addr_rd (addr_rd ),
.we_wr (we_wr ),
.data_out (data_out )
);
endmodule
使用vivado自带的仿真工具simulator运行仿真，仿真结果如下：
符合预期结果。
3、总结与参考
可以看到RAM IP的定制还是挺简单的，在了解其参数后，可以很快、很方便地例化一个自己需要的RAM模块。
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